MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光

• 作者: 彭学新 李述体 李鹏 江风益 熊传兵 王立 莫春兰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD InGaN 卢瑟福背散射/沟道技术 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 604-608
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 3986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.014

摘要

采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InGaN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道（RBS/Channeling）技术和光致发光（PL）技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试，获得了合金层的组分、厚度、元素随深度分布、结晶品质及发光性能等信息.研究表明生长温度和TMIn/TEGa比对InGaN薄膜的In组分和生长速率影响很大.在一定范围内，降低TMIn/TEGa比，InGaN膜的生长速率增大，合金的In组分反而提高.降低生长温度，InGaN膜的In组分提高，但生长速率基本不变.InGaN薄膜的结晶品质随In组分的增大而显著下降,InGaN薄膜的In组分由0.04增大到0.26，其最低沟道产额比由4.1%增至51.2%.InGaN薄膜中In原子易处于替位位置，在所测试的In组分范围，In原子的替位率均在98%以上.得到的质量良好的In0.04Ga0.96N薄膜的最低产额为4.1%.研究结果还表明用RBS技术和光致发光技术测定InGaN中In组分的结果相差很大,InGaN的PL谱要受较多因素影响，很难准确测定In组分，而以RBS技术得到的结果是可靠的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学材料科学研究所	24	177	7.0	12.0
2	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
3	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
4	李鹏	南昌大学材料科学研究所	16	162	5.0	12.0
5	熊传兵	南昌大学材料科学研究所	23	157	7.0	11.0
6	彭学新	南昌大学材料科学研究所	16	117	7.0	10.0
7	李述体	南昌大学材料科学研究所	12	93	5.0	9.0