含纳米硅粒SiO2薄膜的光致发光

• 作者: 林赏心 郭亨群
• 来源期刊: 华侨大学学报（自然科学版）
• 关键词: 磁控溅射 纳米硅 光致发光 量子限制效应
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5013.2006.01.009

摘要

采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭亨群	华侨大学信息科学与工程学院	40	180	8.0	11.0
2	林赏心	华侨大学信息科学与工程学院	5	24	2.0	4.0