含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性

• 作者: 杨琳琳 郭亨群
• 来源期刊: 华侨大学学报（自然科学版）
• 关键词: 磁控溅射 纳米硅 光致发光 氧化硅薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 256-258
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4+1|TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5013.2006.03.009

摘要

利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800 ℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭亨群	华侨大学信息科学与工程学院	40	180	8.0	11.0
2	杨琳琳	华侨大学信息科学与工程学院	3	1	1.0	1.0