富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究

• 作者: 肖淑娟
• 来源期刊: 上海海事大学学报
• 关键词: 富硅二氧化硅薄膜 蓝光发射 非桥键氧空穴中心
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 60-62
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9498.2003.01.013

摘要

用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜.红外(IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2+(2-x)Si化学反应.SiO2与纳米晶硅(nc-Si)界面上与氧有关的缺陷(NBOHC)是蓝光发射(2.8eV)的主要原因.用纯二氧化硅靶制备的样品有1.8eV的发光,可能与硅缺陷有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖淑娟	上海海运学院工学院	1	3	1.0	1.0