含纳米硅氧化硅薄膜的多峰光致发光研究

• 作者: 陈全海 马书懿
• 来源期刊: 西北师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: γ射线辐照 光致发光 发光中心 高斯峰
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2097字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-988X.2006.06.012

摘要

采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜,测量了其辐照前后的光致发光谱.用Gauss函数对各发光谱进行了拟合,结果表明各光谱都是三峰结构.γ辐照后,除原有的2个位于800 nm(1.55 eV)和710 nm(1.75 eV)的发光峰峰位几乎未变之外,位于640 nm(1.94 eV)的肩峰被一个很强的580 nm(2.14 eV)的新峰遮盖.根据实验现象与光谱分析,可以认为含纳米硅的氧化硅薄膜的光发射主要来自电子-空穴对在SiO2 层发光中心上的辐射复合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马书懿	西北师范大学物理与电子工程学院	69	226	8.0	11.0
2	陈全海	西北师范大学物理与电子工程学院	2	0	0.0	0.0