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含纳米硅和纳米锗的氧化硅薄膜光致发光的比较研究
含纳米硅和纳米锗的氧化硅薄膜光致发光的比较研究
作者:
尤力平
王印月
秦国刚
马书懿
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
光致发光
纳米硅
纳米锗
发光中心
摘要:
分别以硅-二氧化硅和锗-二氧化硅复合靶作为溅射靶,采用磁控溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米硅的氧化硅薄膜和含纳米锗的氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至1100℃不同温度的退火处理.使用高分辨透射电子显微镜可以观察到经900和1100℃退火的含纳米硅的氧化硅薄膜中的纳米硅粒,和经900和1100℃退火的含纳米锗的氧化硅薄膜中的纳米锗粒.经过不同温度退火处理的含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光致发光谱均具有相似的峰型,且它们的发光峰位均位于580nm(2.1eV)附近.可以认为含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光发射主要来自于SiO2层中发光中心上的复合发光,对实验结果进行了合理的解释.
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含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性
磁控溅射
纳米硅
光致发光
氧化硅薄膜
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文献信息
篇名
含纳米硅和纳米锗的氧化硅薄膜光致发光的比较研究
来源期刊
物理学报
学科
物理学
关键词
光致发光
纳米硅
纳米锗
发光中心
年,卷(期)
2001,(8)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
1580-1584
页数
5页
分类号
O4
字数
2508字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-3290.2001.08.033
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
秦国刚
北京大学物理系
20
128
6.0
10.0
2
马书懿
西北师范大学物理系
69
226
8.0
11.0
3
王印月
兰州大学物理科学与技术学院
39
567
15.0
23.0
4
尤力平
北京大学物理系
15
90
5.0
9.0
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2001(0)
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二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2003(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2005(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
2006(4)
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2016(1)
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节点文献
光致发光
纳米硅
纳米锗
发光中心
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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