多孔硅的能带变化及光致发光的研究

• 作者: 丁德宏 付世 姚朋军 张宏庆 沈桂芬 范军
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 多孔硅 退火 量子限制模型
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 113-115
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2004.04.030

摘要

多孔硅与硅材料相比,有明显的可见光致发光特性,其原理可用量子限制模型给予解释.文章通过对多孔硅的光致发光、光电子辐射、光电效应和X光吸收方面的实验的讨论,研究了退火对多孔硅导带和价带边缘的量子漂移破的影响.对于大多数多孔硅,过高的退火温度可造成多孔硅的导带和价带边缘的量子漂移的改变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈桂芬	辽宁大学物理系	15	136	6.0	11.0
2	付世	辽宁大学物理系	8	47	5.0	6.0
3	丁德宏	辽宁大学物理系	7	47	5.0	6.0
4	姚朋军	辽宁大学物理系	10	109	6.0	10.0
5	张宏庆	辽宁大学物理系	8	57	4.0	7.0
6	范军	辽宁大学物理系	8	57	4.0	7.0