多孔硅的能带与发光机制的研究与分析

• 作者: 丁德宏 付世 姚朋军 张宏 张宏庆 沈桂芬 范军
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 光致发光 量子限制模型 表面态 能量赝势法
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 20-22
• 页数: 3页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2730字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2004.01.007

摘要

在光致发光技术对多孔硅光学性质研究的基础上讨论了与多孔硅的微观结构有关的多孔硅的能带结构,用能量赝势法模拟计算出多孔硅的能带间隙.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈桂芬	辽宁大学物理系	15	136	6.0	11.0
2	付世	辽宁大学物理系	8	47	5.0	6.0
3	丁德宏	辽宁大学物理系	7	47	5.0	6.0
4	姚朋军	辽宁大学物理系	10	109	6.0	10.0
5	张宏庆	辽宁大学物理系	8	57	4.0	7.0
6	范军	辽宁大学物理系	8	57	4.0	7.0
7	张宏	辽宁大学物理系	12	37	4.0	6.0