多孔硅的光致发光机制

• 作者: 李清山 王晓静
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 多峰发射 发光机制 尺寸分布
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 396-400
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3286字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.04.013

摘要

人们已经提出了许多解释多孔硅发光的理论模型,每个模型都可以针对某些实验现象做出合理的解释,而对其他的实验结果就可能无法解释甚至相悖,因此多孔硅的发光机制至今仍是需要进一步研究和解决的问题.通过改变阳极氧化的条件,制得了一系列样品,其光致发光谱主要有四个峰.随着制备条件的改变,各个峰位的变化不大,但峰值强度比的变化比较大.随着自然氧化时间的延长,各个峰位的变化很小,有红移破也有蓝移,有的则基本不变;而峰值强度的减弱幅度较大,但对应于各个峰位幅度的减弱是均衡的.分析实验现象产生的原因,认为多孔硅的发光是多种发光机制共同作用的结果;多孔硅纳米量子线的一定尺寸分布,不仅使光致发光谱存在一定的带宽,而且也是产生多峰现象的原因之一;多孔硅的结构特征对其发光特性起着决定性的作用.