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摘要:
采用水热腐蚀法在相同环境下制备了不同晶型的铁钝化多孔硅样品.同一样品表面具有相似的孔隙结构,不同样品形貌存在差异.在300 nm光激发下,样品发光峰位于618 nm附近,半高宽约为132 nm.傅立叶红外变换光谱显示样品中有强的Si—Si、Si—O—Si、Oy—Si—Hx化学键振动吸收.结果表明,水热腐蚀法制备的铁钝化多孔硅表面形貌与腐蚀过程的局域电极分布关系密切.样品的光致发光行为可归因于量子限制-发光中心作用,并受非桥氧空穴发光中心数量影响.
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文献信息
篇名 铁钝化多孔硅的制备及光致发光机理研究
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 多孔硅 铁钝化 光致发光 非桥氧空穴 水热腐蚀
年,卷(期) 2014,(2) 所属期刊栏目 材料合成及性能
研究方向 页码范围 184-189
页数 6页 分类号 O482.31
字数 3733字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20143502.0184
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张婷 闽南师范大学化学与环境科学系 6 5 2.0 2.0
2 陈景东 闽南师范大学物理与信息工程学院 5 4 1.0 2.0
传播情况
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发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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