有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究

• 作者: 彭学新 李述体 李鹏 江凤益 熊传兵 王立
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD InGaN 卢瑟福背散射/沟道技术 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 213-217
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 4152字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.03.002

摘要

采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试.获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息.研究表明:在以N2作主载气的情况下,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大.生长温度为760℃时,以70ml/min的N2作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为0.10,生长速率为6.0nm/min;而以70rnl/min的H2作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为0.06,生长速率为10.6nm/min.本文首次报导了载气中含有少量H2能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
2	李鹏	南昌大学材料科学研究所	16	162	5.0	12.0
3	熊传兵	南昌大学材料科学研究所	23	157	7.0	11.0
4	彭学新	南昌大学材料科学研究所	16	117	7.0	10.0
5	李述体	南昌大学材料科学研究所	12	93	5.0	9.0
6	江凤益	南昌大学材料科学研究所	2	21	2.0	2.0