热退火对 InGaN薄膜性质的影响

• 作者: 刘成祥 周建军 张荣 文博 江若琏 谢自力 郑有炓 韩平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 热退火 散射机制
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 92-96
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 2806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.022

摘要

对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86N薄膜的晶格质量、表面形貌以及光学特性和电学特性随着退火温度的变化情况.结果表明,有利于提高In0.14Ga0.86N薄膜质量的最佳退火温度为500℃.通过对变温霍尔实验数据的拟合,初步分析了退火前后InGaN样品中的多种散射机制以及它们的变化情况.