热蒸发法制备Sb2Se3薄膜及后退火温度对其性能的影响

• 作者: 姚文健
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 电阻热蒸发法 Sb2Se3 薄膜太阳能电池 半导体
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 创新思维
• 页码范围: 72-73
• 页数: 2页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.15913/j.cnki.kjycx.2018.05.072

摘要

采用真空热蒸发法结合退火工艺制备得到质量较好的多晶Sb2Se3薄膜,薄膜致密、结晶性良好,且表现出一定的择优生长现象,其禁带宽度大致在1.4 eV左右.探索了不同退火温度对Sb2Se3薄膜物相结构、形貌与光电性能的影响,在此基础上制备了FTO/CdS/Sb2Se3/AL结构的电池,效率为0.047％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚文健		2	0	0.0	0.0