退火对NiCr薄膜阻值的影响分析

• 作者: 侯玉文 毛陆虹 谢生 陈朝 陈松岩
• 来源期刊: 华侨大学学报（自然科学版）
• 关键词: 镍铬 薄膜电阻 热退火 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 27-29
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4+2|TN451
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射方法在Si衬底上沉积NiCr薄膜,通过金属剥离技术制备不同膜厚的NiCr薄膜电阻.对不同膜厚样品退火前后阻值的测试表明,磁控溅射沉积NiCr薄膜的晶粒较小,退火前样品阻值较大.当退火温度超过350 ℃后,薄膜中的细小晶粒合并为较大的晶粒,晶粒间界面积减小,电阻率也相应减小;而经过450 ℃退火5 min后,晶粒尺寸趋于饱和,进一步的退火时间对阻值的变化影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	陈朝	厦门大学物理系	63	420	11.0	18.0
3	陈松岩	厦门大学物理系	68	248	8.0	12.0
4	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0
5	侯玉文	天津大学电子信息工程学院	9	33	4.0	5.0