退火对Cd1-xZnxTe薄膜性质的影响

• 作者: 张静全 曾广根 李卫 武莉莉 江洪超 王文武 金硕 黎兵
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Cd1-xZnx Te薄膜 退火 性质
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 842-848
• 页数: 7页
• 分类号: TB332
• 字数: 3525字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2013.04.033

摘要

本文用双源真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnx Te薄膜，通过热探针、SEM、XRD及紫外-可见光透过谱等方法研究了不同退火条件对薄膜性质的影响．退火后Cd1-xZnx Te多晶薄膜的光学禁带宽度在1．54 eV ～1．68 eV之间，且沿立方相（111）面择优生长．退火温度主要影响薄膜表面的粗糙度和平均晶粒尺寸，退火时间主要影响薄膜的平均晶粒尺寸．退火温度与时间对薄膜电学性质的影响较小．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎兵	四川大学材料科学与工程学院	44	264	8.0	15.0
2	王文武	四川大学材料科学与工程学院	27	9	2.0	2.0
3	张静全	四川大学材料科学与工程学院	69	285	8.0	15.0
4	李卫	四川大学材料科学与工程学院	56	193	7.0	12.0
5	武莉莉	四川大学材料科学与工程学院	56	217	8.0	13.0
6	曾广根	四川大学材料科学与工程学院	21	17	2.0	3.0
7	江洪超	四川大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
8	金硕	四川大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0