Cd1-xZnxTe晶体的In气氛扩散热处理研究

• 作者: 孙康 李万万
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdZnTe 热处理 In气氛 扩散系数
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1921-1929
• 页数: 9页
• 分类号: O4
• 字数: 6885字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.04.062

摘要

为了满足辐射探测器件的需要,将生长得到的Cd1-xZnxTe晶体在In气氛下进行退火处理能有效提高晶体的电阻率等性能. 退火处理过程的实质是一个扩散过程,因此研究扩散系数与Cd1-xZnxTe晶体的性能特别是电阻率变化之间的关系具有重要的意义. 建立了退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化与杂质的扩散系数之间关系的模型.结合实验数据,获得了1073,973和873K下In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的扩散系数并估算了其激活能.提出了一种确定浅施主杂质在半导体中的扩散系数的新方法. 通过使用获得的扩散系数,模拟了1073,973和873K下及饱和In气氛下,退火时间对Cd0.9Zn0.1Te晶体电阻率及导电类型变化的影响,所得结果与实验相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙康	上海交通大学复合材料研究所	97	1457	22.0	35.0
2	李万万	上海交通大学复合材料研究所	17	199	6.0	14.0