HSE方法研究Cd1-xZnxTe合金的性质

• 作者: 徐海涛 徐闰 朱燕艳 王林军
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cd1-xZnxTe合金 HSE杂化势 形成焓 光学带隙 第一性原理
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 411-415,461
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4437字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2012.00411

摘要

采用HSE杂化势计算了Cd1-xZnxTe合金的性质,并获得了较传统GGA更为准确的光学带隙和形成焓.在构建超胞计算合金体系时,采用SQS模型.计算分析得出Cd1-xZnxTe合金的光学带隙下凹参数为0.266 eV,这与已报道实验结果0.254 eV非常吻合.同时,计算得出的形成焓较高,特别是在Cd0.5 Zn0.5 Te合金组分时(25.60 meV/atom).对合金中键长的分析后得出Cd-Te键和Zn-Te键的局域键长与CdTe和ZnTe体材料的值非常接近,但二者之间相差较大,从而导致合金材料中各个原子存在较大的弛豫,这也是该合金具有较大形成焓的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王林军	上海大学材料科学与工程学院	109	441	11.0	14.0
2	徐海涛	上海大学材料科学与工程学院	5	21	3.0	4.0
3	朱燕艳	上海电力学院数理学院	21	14	2.0	3.0
4	徐闰	上海大学材料科学与工程学院	6	7	2.0	2.0