新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析

• 作者: 俞芃 卢一泓 周生强 姚淑德 孟兆祥 张勇 张国义 童玉珍
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 电阻率 载流子浓度 霍尔效应
• 年，卷（期）: 2000,（Z1）
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN204
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.z1.012

摘要

研究用卢瑟福背散射/沟道技术测量分析GaN的结构及结晶品质,给出了注入H+离子束改变GaN的电学特性的实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张勇	北京大学技术物理系	91	531	12.0	21.0
2	张国义	北京大学物理学系	49	229	9.0	13.0
3	童玉珍	北京大学物理学系	16	63	5.0	7.0
4	姚淑德	北京大学技术物理系	22	100	5.0	9.0
8	周生强	北京大学技术物理系	6	14	2.0	3.0
9	孟兆祥	北京大学技术物理系	1	2	1.0	1.0
10	俞芃	北京大学技术物理系	1	2	1.0	1.0
11	卢一泓	北京大学技术物理系	1	2	1.0	1.0