电弧离子镀AlN薄膜的光致发光性能的研究

• 作者: 余红雅 刘仲武 曾德长 蔡明 邱万奇 钟喜春
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: 电弧离子镀 AlN薄膜 掺杂 光致发光
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 572-576
• 分类号: TG1464
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9981.2010.04.078

摘要

在电弧离子镀弧靶前加挡板以去除大颗粒污染,分别在Si(100)基底上制备非掺杂的纯AlN薄膜,在石英玻璃基底上制备Cu掺杂的AlN薄膜.用X射线衍射(XRD)分析表明,纯AlN膜为弱(100)多晶织构,而掺Cu的AlN薄膜为非晶结构;X 射线光电子能谱(XPS)研究表明,Cu掺杂AlN薄膜中,Cu为+1价,原子百分含量为11%;光致发光谱显示纯AlN薄膜发紫光(～400 nm),Cu掺杂的AlN薄膜发蓝光(～450 nm).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾德长	华南理工大学材料科学与工程学院	127	548	11.0	17.0
2	邱万奇	华南理工大学材料科学与工程学院	67	339	9.0	15.0
3	钟喜春	华南理工大学材料科学与工程学院	59	230	8.0	12.0
4	刘仲武	华南理工大学材料科学与工程学院	68	127	6.0	8.0
5	余红雅	华南理工大学材料科学与工程学院	44	127	7.0	9.0
6	蔡明	华南理工大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0