掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光

• 作者: 卞留芳 宋淑芳 张春光 许振嘉 陈维德
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN Pr 背散射/沟道技术 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 513-516
• 页数: 5页
• 分类号: O472|O482.31
• 字数: 2459字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.04.019

摘要

利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性.RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1 050℃退火后,部分损伤得到恢复,但是晶体质量没有恢复到注入前的状态.AFM结果表明,注入Pr后,表面凹凸不平,而且在注入区引起了膨胀,膨胀幅度达到23.368 nm左右.PL结果表明,在850～1 050℃退火,发光强度按e指数增加;当退火温度达到1 050℃,发光强度最强,经过数据拟合可得Pr3+的热激活能为5.8 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈维德	中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室	12	35	4.0	5.0
2	宋淑芳	中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室	11	65	5.0	7.0
3	许振嘉	中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室	8	24	3.0	4.0
4	张春光	中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室	50	471	13.0	19.0
5	卞留芳	中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室	3	5	2.0	2.0