发光学报期刊
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发光学报

Chinese Journal of Luminescence
曾用名: 发光与显示

CACSCDEIJSTSACSTPCD

影响因子 0.7953
本刊主要反映我国发光学领域中在科研、技术和生产中的学术成就,开展国内外的学术交流,提高该领域内从事科研、教学、生产人员的技术水平。
主办单位:
中国物理学会发光分会 中科院长春光机所
期刊荣誉:
2000年获中科院优秀科技期刊二等奖  2001年首批进入期刊方阵  2004年被选入中国科技期刊精品库 
ISSN:
1000-7032
CN:
22-1116/O4
出版周期:
月刊
邮编:
130033
地址:
长春市东南湖大路16号
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  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  557-563
    摘要: 碳纳米管因具有良好的电子发射特性而成为理想的场发射阴极材料,利用碳纳米管作阴极的场致发射平板显示器件的研究是目前显示技术领域的研究热点之一.报道了场发射显示器(FED)的结构及工作原理、阴极...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  564-568
    摘要: 研究了抛物量子点中弱耦合束缚极化子的性质.采用线性组合算符和幺正变换方法导出了束缚极化子的振动频率和基态能量.讨论了量子点的有效受限长度、电子-LO声子耦合强度和库仑场对抛物量子点中弱耦合极...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  569-574
    摘要: 利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs Morse势阱为例进行数值计算.数值结果...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  575-580
    摘要: 采用有效质量近似下的变分法,考虑到电子同时与表面光学声子和体纵光学声子相互作用,研究了无限深量子阱中极化子的表面光学声子平均数,体纵光学声子平均数和光学声子平均数.讨论了电子与体纵光学声子耦...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  581-586
    摘要: 用燃烧合成法制备了Lu2O3:Tb3+纳米粉末.产物为立方相结构,粒径在3~40nm之间可控.对不同颗粒度的样品的激发光谱、发射光谱和荧光衰减特性进行了研究.在紫外光激发下,样品显示出较强的...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  592-596
    摘要: 采用共沉淀法制备了PDP用的绿色荧光粉YPO4:Tb.XRD、SEM等测试手段表明用此方法制备的YPO4:Tb相纯度高,所需的烧结温度低、颗粒分散性好、颗粒尺寸分布窄,且表面质量好.研究了Y...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  597-601
    摘要: Ce3+只有一个4f电子,具有最简单的4f15d0基态结构,其激发光谱直接反映了5d轨道的能量状态.由于同一基质晶格相同格位上不同稀土离子受基质晶体场影响相近,所以根据Ce3+离子的光谱可以...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  602-606
    摘要: 研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石基底上生长的InGaN样品的发光特性.样品XRD谱中存在InGaN、In、InN相,表明样品中存在相分离;透射谱能看到由于F-P腔调制引起...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  607-610
    摘要: 对由8个量子阱所组成的条形超辐射发光二极管(Superluminescent diode,SLD)进行了热分析,计算了不同器件结构下的热阻和温度分布.计算结果表明,热阻变化受芯片宽度和长度的...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  611-616
    摘要: 研究了氧气退火和氮气退火对ZnO薄膜发光特性的影响.ZnO膜是采用常压金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上生长的.原生样品1有一很强的紫外峰及较强的绿光峰(525 ...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  617-621
    摘要: 对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃.随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  622-626
    摘要: 以巯基乙酸为稳定剂,在水相中制备了CdSe纳米晶水溶胶,并用X射线光电子能谱和透射电子显微镜对其进行了表征,证明了CdSe纳米晶的形成.研究了在不同反应时间所制备的CdSe纳米晶的XRD谱以...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  627-630
    摘要: 采用等离子体辅助的低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在没有引入任何金属催化剂的条件下,在c平面的蓝宝石衬底上制备出高取向的ZnS纳米棒阵列.从样品的场发射扫描电镜(SEM)和...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  631-635
    摘要: 利用阳极氧化铝(AAO)模板,采用电化学沉积方法制备出了ZnS纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致(约50 nm),孔口呈六边形.TEM结果显示...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  636-640
    摘要: 利用金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA)进行离子束合成,制备了过剂量C+离子注入到单晶硅衬底的样品.然后利用热退火,在表层制备了连续β-SiC层,形成表层SiC/Si的异质结构.利用傅里叶变换...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  641-646
    摘要: 采用聚硅氮烷前驱体热裂解方法制备SiC纳米棒,并利用SEM、XRD和EDX表征了SiC纳米棒的结构和组成,表明得到的SiC的组分比C:Si接近1:1.用微区Raman和光致发光方法研究了纳米...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  646
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  647-650
    摘要: 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的SiO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H)薄膜.采用离子注入和高温退火方法将稀土Fr掺入含有...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  651-654
    摘要: 测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入Si基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定.在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变.在...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  655-658
    摘要: 通过对在固溶体、稀溶液、薄膜和纳米孔中MEH-PPV的PL和PLE谱的测量分析,研究不同形态下MEH-PPV分子链的构象及其对电子能带和光学性质的影响.在THF稀溶液中,MEH-PPV分子链...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  659-663
    摘要: 分别使用phen(1,10-邻菲咯啉)、TOPO(三正辛基氧化磷)、TPPO(三苯基氧化磷)作为第二配体与Sm(DBM)3(DBM:二苯甲酰甲烷)相互作用,合成了相应的配合物,然后分别将其掺...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  664-668
    摘要: 应用DPPH·分光光度测定法研究了11种高纯度的天然黄酮类化合物清除二苯代苦味肼基自由基 (DPPH·)的构效关系.结果表明,这11种天然黄酮类化合物都能有效地清除DPPH·,其清除DPPH...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  669-673
    摘要: 利用荧光光谱法和吸收光谱法研究阿霉素与转铁蛋白间的结合作用,确定了阿霉素对转铁蛋白的荧光猝灭过程的猝灭机理,测定了不同浓度下该结合反应的结合常数K=(0.98~89.1)×105,结合位点数...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  674-677
    摘要: 一种带恒流源的驱动电路,能实现对小尺寸OLED屏(30 mm×38 mm)的驱动,该屏分辨率为64×56.OLED属电流型器件,对该屏采用恒流源驱动,即在每一列电极上接一个恒流源,只要保证流...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  678-683
    摘要: 在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟.由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  683
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  684-686
    摘要: 利用微乳液水热法制备出GdF3:Eu3+纳米晶及纳米棒.用X射线粉末衍射(XRD)和透射电子显微镜 (TEM)等手段对材料的结构、形态及粒径大小等进行了表征.室温下真空紫外(VUV)光谱及荧...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  687-689
    摘要: 报道一种可用钆配合物[Gd(DBM)3bath]调节电致发光(EL)颜色的有机发光二极管(OLED).该有机发光二极管是在空穴传输层(m-MTDATA)和电子传输层(TPBI)之间插入一薄层...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  698-封三
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2005年5期
    页码:  封二
    摘要:

发光学报基本信息

刊名 发光学报 主编 申德振
曾用名 发光与显示
主办单位 中国物理学会发光分会 中科院长春光机所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1000-7032 CN 22-1116/O4
邮编 130033 电子邮箱 fgxbt@126.com
电话 0431-86176862,84613407 网址 www.fgxb.org
地址 长春市东南湖大路16号

发光学报评价信息

期刊荣誉
1. 2000年获中科院优秀科技期刊二等奖
2. 2001年首批进入期刊方阵
3. 2004年被选入中国科技期刊精品库

发光学报统计分析

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