掺铒硅光致发光激子传递能量机制

• 作者: 余金中 杨沁清 欧海燕 王启明 雷红兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 激子传递能量 光致发光 掺铒硅
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 232-238
• 页数: 7页
• 字数: 4454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.03.005

摘要

铒离子在硅中呈现弱施主特性，O、Er双掺杂可提高施主浓度两个数量级.氧杂质与铒离子形成复合体，其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道.提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型，建立了发光动力学速率方程，并进行了详细推导.发光效率与光激活铒离子浓度、激发态寿命及自发辐射寿命等因素有关.指出铒离子-束缚激子复合体的热离化和激发态铒离子能量反向传递是引起铒离子发光温度猝灭的主要原因.拟合PL测量实验结果表明：它们对应的激活能分别为6.6meV和47.4meV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	欧海燕	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	6	54	5.0	6.0
2	杨沁清	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	11	78	6.0	8.0
3	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
4	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
5	雷红兵	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	7	46	4.0	6.0