MOCVD生长的GaN和GaN:Mg薄膜的拉曼散射

• 作者: JIANG H X LIN J Y 王瑞敏 陈光德
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 拉曼散射 应力松弛
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 229-232
• 页数: 4页
• 分类号: O433|O472|O765
• 字数: 2512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.02.018

摘要

通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相GaN和掺Mg的p型GaN薄膜进行了研究.在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm-1附近的两个峰,640 cm-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660 cm-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模.掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果.在掺Mg的样品中还观察到276,376 cm-1几个局域模并给予了解释.同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子-声子相互作用都有可能对E2模的频率产生影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光德	西安交通大学理学院	65	517	13.0	18.0
2	王瑞敏	西安交通大学理学院	10	30	3.0	5.0