MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究

• 作者: 姚冬敏 彭学新 李述体 江风益 熊传兵 王立 辛勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN MOCVD 掺Mg量
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 365-368
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.009

摘要

使用MOCVD技术在Al2O3衬底上生长了GaN：Mg薄膜.通过对退火后样品的光电性能综合分析，研究了掺Mg量对生长P型GaN的影响.结果表明：要获得高空穴载流子浓度的P型GaN，Mg的掺杂量必须控制好.掺Mg量较小时，GaN：Mg单晶膜呈现N型导电，得不到P型层；掺Mg量过大时，会形成与Mg有关的深施主，由于深施主的补偿作用，得不到高空穴浓度的P型GaN.生长P型GaN的最佳Cp2Mg/TMGa之比在1/660-1/330之间

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
2	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
3	辛勇	南昌大学材料科学研究所	186	1282	15.0	26.0
4	熊传兵	南昌大学材料科学研究所	23	157	7.0	11.0
5	彭学新	南昌大学材料科学研究所	16	117	7.0	10.0
6	姚冬敏	南昌大学材料科学研究所	9	86	5.0	9.0
7	李述体	南昌大学材料科学研究所	12	93	5.0	9.0