MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析

• 作者: 廖辉 张国义 张晓敏 李丁 李睿 杨子文 杨志坚 王彦杰 胡晓东 陈伟华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p型GaN 自补偿 掺杂浓度 MOCVD
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1475-1478
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 470字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.011

摘要

通过优化Mg流晕增强了MoCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明卒穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到极大值后开始降低;迁移率始终随Mg流量的升高而降低.最优的样品在室温下空穴浓度达到4.1×1017cm-3,电阻率降至1Ω·cm.考虑施主型缺陷MGaVN的自补偿作用,计算了空穴浓度随掺杂浓度变化的曲线关系.计算结果表明自补偿系数随掺杂浓度的增大而增大;空穴浓度首先随掺杂浓度的增大而增加,存受主浓度为NA≈4×1019左右时达到极大值,之后随着掺杂浓度的增大而迅速降低.XRD数据表明在实验范围内晶体缺陷密度随着掺杂浓度的降低而降低.