利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜

• 作者: 史志锋 夏晓川 张宝林 杜国同 殷伟 王瑾 王辉 董鑫 赵旺 赵龙
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnMgO薄膜 p型掺杂 MOCVD
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 1020-1023
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1592字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113210.1020

摘要

利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜.利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光学特性进行分析.结果表明:高温生长的ZnMgO薄膜具有良好的c轴取向性；480～ 520℃时所制备的ZnMgO薄膜为p型导电,500℃时所制备的样品电阻率最低,为26.33 Ω·cm,空穴浓度达1.638×1017 cm-3,迁移率为1.45 cm2/(V·s)；室温PL谱显示,制得的p型ZnMgO薄膜具有较大的紫外与可见发光峰强度比,表明其具有良好的光学性能.