MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜

• 作者: 叶志镇 周婷 徐伟中 朱丽萍 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p型 ZnO 金属有机化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.008

摘要

采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜.实验使用NO和N2O共同作为氧源,且NO同时作为掺氮源,二乙基锌作为锌源.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,二次离子质谱分析证实了氮被掺入了ZnO薄膜.通过优化锌源流量获得了最高空穴浓度为1.97×1018cm-3,最低电阻率为3.02Ω·cm的ZnO薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
5	周婷	浙江大学硅材料国家重点实验室	20	75	3.0	8.0
6	徐伟中	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	134	4.0	5.0