采用MOCVD法在p型Si衬底上生长Zn0薄膜

• 作者: 崔勇国 常遇春 张宝林 张源涛 朱慧超 李万成 杜国同 杨树人
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 Si衬底 PL谱 异质结
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1137-1140
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1809字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.032

摘要

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性.此外,所生长n-ZnO/p-Si异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小.在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流.