RF磁控溅射法在Si衬底上生长ZnO薄膜界面的XPS研究

• 作者: 张源涛 李万程 杜国同 杨树人 王涛
• 来源期刊: 吉林大学学报(理学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 XPS 界面
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 493-496
• 页数: 4页
• 分类号: O781
• 字数: 2453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2003.04.015

摘要

采用RF磁控溅射方法在Si衬底上生长ZnO薄膜. XRD测量结果表明, ZnO薄膜为c轴择优取向生长的. 对ZnO薄膜进行了XPS深度剖析及测试. 测试结果表明, 在未达到界面时ZnO均符合正化学计量比, 是均匀的单相膜, 表明该方法具有较好的成膜特性. 在界面处, Zn的俄歇修正型的化学位移及俄歇峰峰型的变化、Zn2p3/2与ZnLMM峰积分面积比值的变化、Si2p峰的非对称性, 均表明Si与ZnO的界面处有明显的成键作用. 在界面处,n型Si反型为p型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜国同	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	41	204	8.0	13.0
2	王涛	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	32	51	4.0	5.0
3	李万程	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	13	131	4.0	11.0
4	杨树人	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	16	52	4.0	7.0
5	张源涛	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	13	21	3.0	4.0