Si(111)衬底上ZnO薄膜的磁控溅射法制备及表征

• 作者: 刘艳美 周圣明 宋学平 李爱侠 汪洪
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 磁控溅射 X射线衍射 应力 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 479-483
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.021

摘要

采用磁控溅射法在(111)单晶硅衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了退火温度对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小、应力和光致发光谱的影响.X射线衍射(XRD)表明薄膜为高度c轴择优取向.不同退火温度下的ZnO薄膜应力有明显变化,应力分布最为均匀的退火温度为500℃.室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,可观测到明显的紫光发射(波长为380nm左右).实验结果表明,用磁控溅射法在单晶硅衬底上能获得高质量的ZnO薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘艳美	安徽大学物理与材料科学学院	37	186	7.0	11.0
2	宋学平	安徽大学物理与材料科学学院	3	18	3.0	3.0
3	周圣明	中国科学院上海光学精密机械研究所	48	298	9.0	16.0
4	李爱侠	安徽大学物理与材料科学学院	37	194	9.0	11.0
5	汪洪	安徽大学物理与材料科学学院	26	123	7.0	10.0