硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的 制备及光学特性

• 作者: 庄琼云 潘书万 郑力新
• 来源期刊: 华侨大学学报（自然科学版）
• 关键词: 纳米晶 Ge/ZnO多层薄膜 硅衬底 光致发光 射频磁控溅射 快速热退火
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 696-700
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.11830/ISSN.1000-5013.201801049

摘要

采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9 nm增加到5.3 nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60 eV左右.研究发现:位于1.48 eV处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60 eV处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑力新	华侨大学工学院	144	934	15.0	24.0
2	潘书万	华侨大学工学院	12	30	3.0	5.0
3	庄琼云	黎明职业大学信息与电子工程学院	7	17	3.0	4.0