等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜

• 作者: Ong H.C 姜秀英 李献杰 杜国同 杨如森 杨树人 殷景志 王新强 王金忠 高春晓
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 光荧光 原子力显微镜(AFM)
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 页码范围: 927-931
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055|TN304.21
• 字数: 3092字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2002.05.034

摘要

利用等离子体增强MOCVD法生长出ZnO薄膜, 用X射线衍射谱观察到位于2θ 34.56°处(0002)的衍射峰, 表明ZnO沿c方向呈柱状生长. 通过荧光光谱, 观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射(375 nm). 紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达193, 显示出材料的高质量, 并通过原子力显微镜加以验证. 为了实现高阻ZnO薄膜, 利用高温富氧分段退火和用N2气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜. 结果表明, 电阻率由0.65 Ωcm分别升高到1 100 Ωcm(分段退火)和5×104 Ωcm(掺氮). 进一步比较发现,掺氮的样品不仅电阻率高,而且光荧光特性好, 显示出更高的薄膜质量.