多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺

• 作者: 吴爱民 姜辛 张广英 秦富文 董闯 邓婉婷
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 低温生长
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 所属期刊栏目: 结构材料及核材料性能
• 页码范围: 436-440
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2007.z1.027

摘要

采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向.