氦等离子体前处理对多晶硅薄膜性能的影响

• 作者: 孟月东 汝丽丽 陈龙威
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体物理 多晶硅薄膜 电子回旋共振 等离子体增强 氦等离子体 磁控溅射 化学气相沉积 薄膜结晶度 纳米材料
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 398-403
• 页数: 6页
• 分类号: O539|O782+.7
• 字数: 3262字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1249.2013.04398

摘要

采用微波电子回旋共振等离子体增强磁控溅射(microwave electron cyclotron resonance plasmaenhanced magnetron sputtering,ECR-PEMS)和电子回旋共振等离子体辅助化学气相沉积(microwave electron cyclotron resonance chemical vapor deposition,ECR-CVD)技术,分别在单晶硅片(100)基底上低温制备了多晶硅薄膜.采用拉曼光谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对薄膜微观结构及表面形貌进行表征,研究纯氦等离子体基底前期处理对所沉积薄膜性能的影响.结果表明,氦等离子体前处理技术能大幅提高多晶硅薄膜结晶度和颗粒尺寸,明显改善ECR-CVD法所得多晶硅薄膜的微观结构特性和表面形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟月东	中国科学院合肥物质研究院等离子体所	40	478	9.0	21.0
5	陈龙威	中国科学院合肥物质研究院等离子体所	8	34	3.0	5.0