SiCl4/H2为气源低温沉积多晶硅薄膜光电特性的研究

• 作者: 刘丽娟 林璇英 罗以琳
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: 多晶硅薄膜 持续性光电导 晶化率
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 可持续能源材料
• 页码范围: 437-440
• 页数: 4页
• 分类号: O484.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9981.2008.04.050

摘要

采用PECVD技术,通过改变射频功率制备了晶化率不同的多晶硅薄膜.对多晶硅材料光照稳定性的研究表明,晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料,但仍然存在着光衰减;晶化率较高的多晶硅材料显示出稳恒光电导效应,不存在光衰退现象;光照时多晶硅材料的电导率增加,光注入后因光生载流子对缺陷态的填充使费米能级上移,激活能减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
2	刘丽娟	汕头大学物理系	4	5	1.0	2.0
4	罗以琳	汕头大学物理系	5	11	2.0	3.0