利用SiCl4/Ar/H2气体ICP干法刻蚀GaAs材料

• 作者: 吕晓敏 王加贤 邱伟彬
• 来源期刊: 华侨大学学报（自然科学版）
• 关键词: GaAs 干法刻蚀 电感耦合等离子体 SiCl4 光滑表面
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 139-142
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98
• 语种: 中文

摘要

利用SiCl4/Ar/H2气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀GaAs材料,研究反应气体流量、样品室压力、源功率RF1和RF2等参数对刻蚀速率的影响.结果表明:在反应气体SiCl4,Ar和H2的流量分别为2,4,1 mL· min-1,样品室压力为0.400 Pa,RF1和RF2的功率分别为120,500 W的最佳优化参数下,得到的刻蚀速率为486 nm·min-1,且同时满足垂直而光滑的台面.利用该优化后的配方刻蚀GaAs衬底10 min后,得到大面积的光滑表面,其粗糙度为0.20 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王加贤	华侨大学信息科学与工程学院	81	268	9.0	12.0
2	吕晓敏	华侨大学信息科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
3	邱伟彬	华侨大学信息科学与工程学院	4	9	1.0	3.0