4H-SiC材料干法刻蚀工艺的研究

• 作者: 许龙来 钟志亲
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀 粗糙度 压强 功率 SF6/O2
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 1-3,8
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2019.02.001

摘要

鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料.但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响.针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF6/02混合气体和SF6/CF4/O2混合气体的刻蚀,并且探究了压强、ICP功率和混合气体比例对样品表面粗糙度的影响.实验结果表明使用SF6/O2混合气体刻蚀后,样品的表面平整度较好.在一定RIE功率条件下,当ICP功率为700 W、压强为20 mT和SF6/O2为50/40 sccm时,样品表面的粗糙度最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟志亲	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	12	38	4.0	5.0
2	许龙来	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	3	1.0	1.0