n型4H-SiC欧姆接触特性

• 作者: 陈刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 欧姆接触 特征接触电阻率 MESFET 退火
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 273-276
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.069

摘要

对不同工艺条件下的NiCr/4H-SiC欧姆接触特性进行了对比研究,得到了良好欧姆接触的最佳工艺条件,为SiC MESFET器件的实现奠定了基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr/4H-SiC的最佳特征接触电阻率达到1.24×10-5Ω·cm2,能够很好地满足SiC MESFET器件的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈刚		19	61	5.0	7.0