多层金属-n型4H-SiC的欧姆接触

• 作者: 崔占东 李亮 杨银堂 王平 韩茹
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 欧姆接触 碳空位 界面能带结构
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 149-153
• 页数: 5页
• 分类号: TN30
• 字数: 1117字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.002

摘要

研究了热退火条件下Au/Ti/Ni-4H-SiC欧姆接触形成机制.通过950 ℃下的快速热退火形成的最低欧姆接触电阻为2.765×10-6 Ω·cm2.SIMS分析表明退火过程中NiSi化合物的形成会带来SiC内部多余C原子的溢出,并在接触面上与Ti形成间隙化合物TiC.这一过程造成接触表面存在由大量C空位形成的缺陷层从而增强了表面间接隧穿.通过界面能带结构图直观地解释了欧姆接触在热退火条件下的形成机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	韩茹	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	33	5.0	5.0
3	李亮		18	77	4.0	8.0
4	王平	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	32	201	9.0	12.0
5	崔占东		10	29	3.0	5.0