N型SiC的Ni基欧姆接触研究

• 作者: ZHANG Jian 张义门 张玉明 郜锦侠 郭辉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 欧姆接触 Ni N离子注入 C空位
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 356-360,364
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 1315字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.003

摘要

对n型SiC的Ni基欧姆接触的机理进行了研究.通过在P型4H-SiC外延层上使用N离子注入来形成N阱,并在此基础上制作Ni/n型SiC欧姆接触的TLM结构,得到的比接触电阻约为1.7X10-4Ω·cm2.合金化的高温退火过程导致了C空位(Vc)的出现,起到了施主的作用,降低了有效肖特基势垒高度,从而形成欧姆接触.通过模拟估计了有效载流子密度的增加,结果表明,高温退火中形成的C空位对于最终欧姆接触的形成起到了重要作用,甚至超过了掺杂水平的影响.