n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触

• 作者: 张义门 张林 张玉明 汤晓燕
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 欧姆接触 多晶硅 异质结
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 378-380
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1977字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.093

摘要

采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+ SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/n+ SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单、性能优良的优点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所教育部宽禁带半导体材料重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所教育部宽禁带半导体材料重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕	西安电子科技大学微电子研究所教育部宽禁带半导体材料重点实验室	24	144	7.0	11.0
4	张林	西安电子科技大学微电子研究所教育部宽禁带半导体材料重点实验室	9	61	3.0	7.0