异质结n+多晶硅/n型4H-SiC欧姆接触的制备

• 作者: 冯倩 张义门 张玉明 汤晓燕 郭辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 欧姆接触 SiC 多晶硅 比接触电阻 P+离子注入
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 637-640
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1014字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.004

摘要

从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在P型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P+离子注入及扩散进行掺杂,得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□.得到的n+多晶硅/n-SiC欧姆接触的比接触电阻为3.82×10-5Ω·cm2,接触下的注入层的方块电阻为4.9kΩ/□.对n+多晶硅/n-SiC欧姆接触形成的机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	冯倩	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	35	224	7.0	13.0
4	汤晓燕	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	24	144	7.0	11.0
5	郭辉	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	21	161	9.0	12.0