4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备

• 作者: 张义门 张玉明 王守国
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 离子注入 欧姆接触 方块电阻
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 203-206
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2003.02.022

摘要

用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层.注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离子注入层的方块电阻Rsh为30kΩ/square,Ni/Cr合金与离子注入层的欧姆接触电阻ρc为7.1×10-4Ωcm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	王守国	西安电子科技大学微电子所	4	30	3.0	4.0