高能量钒注入n型4H-SiC的欧姆接触形成

• 作者: 张义门 张玉明 徐大庆 王悦湖 王超 郭辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 欧姆接触 半绝缘碳化硅 钒离子注入 扩散 碳空位
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1701-1705
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 868字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.007

摘要

借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布.即使经过1650℃的高温退火,钒在碳化硅中的再扩散也不显著.退火并没有导致明显的钒向碳化硅表面扩散形成堆积的现象,由于缺少钒的补偿作用,表面薄层的自由载流子浓度保持不变.采用线性传输线模型测量了钒注入n型4H-SiC上的Ni基接触电阻,在1050℃下,在氮、氢混合气体中退火10min,形成的最低比接触电阻为4.4×10-3Ω·cm2.金属化退火后的XRD分析结果表明,镍、碳化硅界面处形成了Ni2Si和石墨相.观测到的石墨相是由于退火导致C原子外扩散并堆积形成,同时在碳化硅表面形成C空位.C空位可以提高有效载流子浓度,降低势垒高度并减小耗尽层宽度,对最终形成欧姆接触起到了关键作用.