用于4H-SiC雪崩光电探测器p型欧姆接触的研究

• 作者: 吴正云 朱会丽 陈厦平
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 4H-SiC p型欧姆接触 X射线光电子能谱 雪崩光电探测器
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 743-747
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2933字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2007.06.016

摘要

对4H-SiC雪崩光电探测器的Ti/Al/Au p型欧姆接触进行了详细的研究.通过线性传输线模型(LTLM)测得经930℃退火后欧姆接触的最小比接触电阻为5.4×10-4Ωcm2.分别用扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射谱(XRD)对退火前后的表面形貌、金属之间以及金-半接触界面之间相互反应及扩散情况进行测试与分析,发现了影响欧姆接触性能的主要原因.对采用此欧姆接触制备的4H-SiC雪崩光电探测器进行测试,发现器件的击穿电压约为-55 V,此时其p型电极处的电压降仅为0.82 mV,可以满足4H-SiC雪崩光电探测器在高压下工作的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴正云	厦门大学物理系	33	190	7.0	12.0
5	陈厦平	厦门大学物理系	12	59	5.0	7.0
6	朱会丽	厦门大学物理系	4	31	3.0	4.0