4H-SiC探测器的γ辐照影响研究

• 作者: 吴健 吴锟霖 尹延朋 李正 白忠雄 范义奎 蒋勇 谢奇林 雷家荣
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC探测器 γ辐照 I-V特性 α探测器
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 核科学与工程
• 页码范围: 111-114
• 页数: 4页
• 分类号: TL816.2
• 字数: 2950字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201931.180345

摘要

为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能,使用40万Ci级的60 Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照,累积辐照剂量最大为1 MGy(Si),并在辐照后对4 H-SiC的性能进行了测试.随着累积辐照剂量增加,4 H-SiC探测器的正向电流增大,而反向电流恰好相反;根据4 H-SiC探测器的正向I-V曲线可提取理想因子和肖特基势垒,理想因子从1.87增加到2.18,肖特基势垒从1.93 V减小至1.69 V;4H-SiC探测器对241 Am源产生的α粒子进行探测时,探测器的电荷收集率从95.65％退化到93.55％,测得能谱的能量分辨率由1.81％退化到2.32％.4H-SiC探测器在受到1 MGy(Si)的γ辐照后,与未受到辐照时相比,在探测能量为5.486 MeV的α粒子时能量分辨率和电荷收集率仅退化了28.18％和2.2％,仍具备优良的探测性能.