台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响

• 作者: 刘兴昉 孙国胜 宁瑾 曾一平 李家业 李晋闽 王雷 罗木昌 赵万顺 赵永梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 紫外探测器 台面结构 光窗口
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 579-582
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.149

摘要

制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器#1,#2,#3和#4,并分别测试它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器#1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n层和n+衬底组成.在探测器#1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透明Pt层、透明Pt层和p+层、透明Pt层和层以及p层制备出探测器#2,#3和#4.器件的紫外光响应谱表明,紫外响应率最好的是探测器#2,其次是探测器#4,#1,#3,其中探测器#2比其他类型的探测器响应率高1个数量级;4种类型的探测器峰值响应位置各不相同,其中探测器#1位于341nm处,探测器#2,#3和#4分别在312,305和297nm处.