一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制

• 作者: 刘著光 吕英 吴正云 张峰 杨伟锋 蔡加法
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC 金属-半导体-金属 一维阵列 响应度
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 570-573
• 页数: 4页
• 分类号: O434.2
• 字数: 1998字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.033

摘要

采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理系	27	107	6.0	8.0
2	杨伟锋	厦门大学物理系	22	143	7.0	10.0
3	吴正云	厦门大学物理系	33	190	7.0	12.0
7	张峰	厦门大学物理系	40	79	5.0	8.0
8	吕英	厦门大学物理系	4	32	3.0	4.0
9	刘著光	厦门大学物理系	4	35	3.0	4.0