4H-SiC基紫外光电探测器研究进展

• 作者: 吴正云 蔡加法
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 4H-SiC 紫外光电探测器
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 489-501
• 分类号: TN36
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2014.04.014

摘要

介绍了4H-SiC材料用于高温、低电平紫外光电检测的优点,回顾总结了近年来4H-SiC基紫外光电探测器的研究进展,分析了改善4H-SiC基紫外光电探测器性能参数如降低暗电流、提高光电响应度等可采用的各种技术手段,探讨了4H-SiC基紫外光电探测器的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理系	27	107	6.0	8.0
2	吴正云	厦门大学物理系	33	190	7.0	12.0