Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究

• 作者: 张林 程鸿亮 肖剑 邱彦章
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电离 辐照探测器 肖特基 碳化硅
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 467-470
• 分类号: TL8
• 字数: 2532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028

摘要

研制了Ni/4H-SiC肖特基二极管电离辐照探测器,并采用不同的辐照源进行了测试.实验结果表明,对于低能电子和γ射线辐照,该探测器都有比较灵敏的电流响应.经过1 Mrad(Si)的γ射线辐照后,探测器的信号电流没有明显退化；分别经过1 Mrad(Si)的γ射线和100 Mrad(Si)的1 MeV电子辐照后,0V和-30V辐照偏压下的探测器的暗电流仅有较轻微的退化.说明了该文研制的探测器具有暗电流低、灵敏度高和抗辐射容限高等优点,可以在强辐射环境中长时间应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张林	长安大学电子与控制工程学院	36	203	8.0	13.0
2	邱彦章	长安大学电子与控制工程学院	22	68	6.0	7.0
3	程鸿亮	长安大学电子与控制工程学院	5	57	4.0	5.0
4	肖剑	长安大学电子与控制工程学院	12	34	4.0	5.0